InSb（銻化銦）因極高電子遷移率與窄帶隙特性，是中波紅外（MWIR）3-5 微米探測的主力材料之一；器件通常在低溫/制冷條件下工作以抑制本征噪聲，已廣泛用于夜視、遙感與工業測溫等應用。同屬銻化物體系的InAs/GaSbType-II超晶格已在MWIR/LWIR焦平面陣列與APD中取得工程化進展；同時，以InAs/Ga(In)Sb/AlSb為核心的ICL（帶間級聯激光器）相比QLC（量子級聯激光器），為3-6微米氣體傳感提供了更低功耗和制冷需求的解決方案。在硅基CMOS中，Sb是低擴散的n型施主，常用于n型埋層與重摻接觸；在非易失存儲方面，Ge-Sb-Te（GST）相變材料已實現28納米FD-SOI嵌入式ePCM（嵌入式相變存儲器）的工藝示范并進入車規應用驗證；在封裝層面，Sn-Sb焊料與 Sb₂O₃ 阻燃協效劑分別服務于高溫互連與模封阻燃體系。

銻在新能源領域的應用主要集中于儲能與能量轉換環節。在電網級長時儲能方面，銻被廣泛用于液態金屬電池（LMB）正極，典型體系為Pb-Sb合金正極與堿金屬負極配對，配合熔鹽電解質，具有高循環壽命、低成本擴展性和較寬工作溫區的優勢，已完成多年原型驗證并進入商業化探索階段。在二次電池領域，銻及其化合物是鋰離子、鈉離子和鉀離子電池中重要的合金化型負極活性材料，可與Li/Na/K形成 Li₃Sb、Na₃Sb、K₃Sb等高比容量合金（理論容量約660 mAh·g^-1），但體積膨脹顯著，需通過納米化設計、碳基復合以及電解液/SEI 膜調控等策略提升循環穩定性與倍率性能。在光伏能源轉換方面，銻化硒（Sb₂Se₃）薄膜電池的實驗效率已超過10%，且銻基鹵化物（如Cs₃Sb₂X₉）因無鉛、低毒及潛在穩定性優勢而成為新型光伏材料研究熱點；在熱電領域，CoSb?等銻基熱電材料在中高溫廢熱發電中表現出較高熱電優值（ZT）。此外，銻還用于全釩液流電池的負極改性（如Sb³⁺添加或碳氈銻修飾），以提升電極反應動力學并降低極化阻抗，并在鋰硫電池中以Sb₂S₃形式作為多硫化物吸附與催化位點，抑制穿梭效應、促進轉化反應，從而改善循環壽命與效率。

銻在新能源汽車中的應用主要集中于功率電子封裝、阻燃體系及部分車型的輔助電源。在逆變器、OBC（車載充電機）與DC-DC（直流-直流變換器）等功率電子模塊中，Sn-Sb合金（如Sn-5Sb）因熔點高、抗熱疲勞性能優良，被用作高溫焊料或金屬導熱界面材料，確保芯片與基板間的可靠互連與散熱。在整車線纜護套、電子封裝樹脂等高分子部件中，三氧化二銻（Sb₂O₃）常作為鹵系阻燃協效劑，提升阻燃效率、降低煙密度，但隨著無鹵趨勢發展，部分場景正探索替代配方。在制動摩擦材料領域，三硫化二銻（Sb₂S₃）可穩定摩擦系數并改善耐磨性，盡管減銻配方逐漸出現，含銻產品仍有市場份額。此外，部分新能源汽車仍在12伏輔助鉛酸電池（如深循環型）板柵中采用低銻合金，以提高硬度與抗腐蝕性，但主流已轉向低銻或鉛-鈣-錫體系以降低失水并延長壽命。

銻在新材料領域的應用以阻燃協效劑為核心。三氧化二銻（Sb₂O₃）與鹵系阻燃體系配合，可顯著提升塑料、電纜護套、紡織品及電子封裝材料的阻燃效率與抑煙性能，仍是國內銻消費的最大單一終端。受綠色環保趨勢推動，國內企業亦在開發無鹵阻燃體系中的銻基協效劑，以滿足低煙、低毒要求。在結構功能材料方面，錫基巴氏合金（Sn-Sb-Cu）及鉛－銻系合金因低摩擦系數、抗咬合性能和較高強度，被廣泛用于大型機械設備、船舶及電機的滑動軸承、模具及易脫模零件制造；在功能薄膜與涂層領域，銻摻雜氧化錫（ATO）已在我國實現規模化生產，廣泛應用于導電、防靜電薄膜、低輻射玻璃和透明電極；在熱電材料方面，CoSb₃等銻基方鈷礦在中高溫廢熱回收領域表現出較高熱電優值，國內部分科研團隊已實現實驗室級薄膜與塊體樣品制備，并探索其在工業余熱發電中的應用潛力。

在工業母機中，銻的應用主要體現在軸承合金與高溫互連。其一，錫基巴氏合金（Sn-Sb-Cu）作為典型滑動軸承材料，依靠軟基體中彌散的硬質 SnSb、Cu₆Sn₅相實現“嵌納-順應-抗咬合”的配副特性，適用于機床主傳動/變速箱等低速重載工況，但受錫基合金耐溫與蠕變特性約束，需確保良好潤滑與冷卻以避免高溫軟化與疲勞失效。其二，傳動系統中的蝸輪、軸瓦與襯套多采用高錫青銅（如C90700/ZCuSn10系），與鋼蝸桿配對以兼顧耐磨與抗咬合。此類材料以錫青銅為主，銻更多作為軸承層合金或微量元素參與配制。其三，在數控系統與電主軸驅動等功率電子模塊裝配中，Sn-Sb（如Sn-5Sb）用作高溫無鉛焊料以提升熱疲勞與力學可靠性，必要時通過少量Ni形成NiSb彌散相，以進一步提升性能，但高溫下力學增益有限，需按熱循環條件選材。

銻在人工智能領域的應用主要體現在高性能計算與數據中心相關硬件的封裝與互連環節。Sn-Sb系無鉛焊料（如Sn-5Sb、Sn-10Sb）因具有較高的熔點、良好的抗蠕變性能和熱疲勞強度，被用于服務器主板、電源模塊以及部分AI推理與訓練加速卡功率器件的芯片—基板互連（Die-Attach）與高溫封裝，有助于在長時間高負載運行下保持結構可靠性。此外，銻摻雜氧化錫（ATO）導電涂層可用于AI服務器機柜及電子元件的防靜電和電磁屏蔽材料，保障信號完整性與設備安全。部分科研探索還將銻基熱電材料（如CoSb₃）應用于芯片局部熱回收與能量管理，以提高整體能源利用效率。總體來看，銻在人工智能硬件中并非直接決定算力性能的核心材料，但在封裝可靠性、散熱輔材、防護功能及能量管理等方面發揮了配套支撐作用。

在生物技術領域，銻的應用雖規模有限，但在特定醫藥與檢測環節具有獨特價值。在醫藥方面，五價銻化合物（如葡萄糖酸銻鈉、酒石酸銻鉀）長期作為利什曼病等寄生蟲病的標準治療藥物，仍在部分資源有限地區使用，國內藥企具備相應原料藥與制劑生產能力。部分有機銻化合物在抗真菌、抗腫瘤等方向顯示出潛在活性，處于實驗室或臨床前研究階段。在診斷與檢測方面，銻及其氧化物電極因在酸堿介質中的響應穩定性與抗腐蝕性，被用于生物發酵過程pH監測和生物電化學傳感器，適用于食品、發酵工程及生物制藥等生產過程控制。此外，銻化物納米材料（如Sb₂S₃）因具備良好的光熱轉換性能，正在國內部分科研團隊中被探索用于光熱治療與成像一體化平臺，以及作為藥物遞送的納米載體。總體而言，銻在生物技術中的應用多集中于醫藥、傳感與納米材料方向，雖尚未形成大規模產業化，但在疾病防治、過程檢測及新型診療技術研發中具備一定發展潛力。

銻在新一代移動通信中的相關應用主要體現在兩類路徑：其一，銻化物高速器件（研發層面）。以InAs（砷化銦）/AlSb（銻化鋁） HEMT（高電子遷移率晶體管）為代表的“銻化物族”化合物半導體具備高電子遷移率與低噪聲特性，已在Ka波段實現低噪聲放大器驗證；同時，InAs/AlSb等材料體系的共振隧穿二極管（RTD）已實現0.5-1THz以上振蕩與數十Gb/s近距鏈路演示，為6G太赫茲前端提供潛在器件路線（仍處于原型與小規模驗證階段）。其二，配套材料與制造。在通信設備與基站側，銻摻雜氧化錫（ATO）作為透明導電/防靜電涂層用于電子部件防靜電與屏蔽；三氧化二銻（Sb₂O₃）作為鹵系阻燃的協效劑仍用于部分線纜/外殼配方（同時存在向無鹵體系遷移的趨勢）；Sn-Sb 系高溫無鉛焊料在高可靠互連中用作替代或并行方案，以改善熱疲勞與蠕變性能。